Область наук:
  • нанотехнології
  • Рік видавництва: 2005
    Журнал: Известия Південного федерального університету. Технічні науки
    Наукова стаття на тему 'Моделювання потенціалу та процесса переносу заряду в нанометріческой гетероструктуре Кремній (111) -тітан-Кремній'

    Текст Наукової роботи на тему «Моделювання потенціалу та процесса переносу заряду в нанометріческой гетероструктуре Кремній (111) -тітан-Кремній»

    ?УДК 621.315; 539: 2

    Г.В. Арзуманян, А.Б. Колпачев, Н.К. Пріступчік

    МОДЕЛЮВАННЯ ПОТЕНЦІАЛУ І процес перенесеного заряду в нанометрічну гетероструктур Кремній (111) -ТІТАН-Кремній

    На Основі кластерного Наближення Теорії багатократно розсіяння з Використання «крісталічного» muffin-tin (МТ) потенціалу, досліджено Електрон будову гетероструктур, что представляються собою крісталічній Кремній, в якому две (Г2) або Чотири (Г4) Атомні площини (111) заміщені атомами титану . Крісталічній Потенціал візначався як суперпозіція кулонівського, маделунговского, електростатічного та

    обмінного потенціалів.

    На рис. 1 наведені аппроксімірованімі гладкої крівої Зміни потенціалу dV, обумовлені его Стрибки на МТ-кордонах, что вінікають на атомах різніх тіпів в гетероструктурах Г2, Г4 та Г6.

    Зміни потенціалу на кордонах МТ-сфер

    >"-6.5

    ТЗ

    - 1 * 1 V1 1 1 1 -1 t Г - - X \ Г4 ^ ї ї ї ї ї ї ї ї ї ї ї ї ї ї _ _? трг Г6 _ - А -

    - о- X- + '/ + - О - 1 1' -: ї ї ЖХ-о_ - 1 і - - ох + 1 + 1 "Ь-Х о - 1 1 'J

    - 1 '-: і /: - 1 / - - 1 / -І - 1': 1 ':

    і 1 - - - | у -

    : І ': | • • :: • a:

    - Ш - < I<<<I<<<I< ", І ,,, і ,,, і ,,", І ,,, і ,,, і ,,, і _

    -1 0 1 -1 0 1 -10 12

    атоми Ti (1); -? -атомі Si (1);

    - атоми Ti (2);

    атоми Si (3);

    ± - атоми Si (2); Ж.-Ж. - атоми Si (4);

    Мал. 1

    - X -атомі Si (5);

    - © - атоми Si (6);

    - Про - атоми Si (0);

    ЦІ результати були вікорістані для квантово-механічного Опису процесса переносу носіїв заряду (визначення коефіцієнтів переносу (Б)) через Такі структури. Коефіцієнт перенесення і значення пов'язаних енергетичних рівнів визначавши Шляхом чисельного решение одновімірного Рівняння Шредінгера. При цьом за нульовий рівень ЕНЕРГІЇ БУВ чинний стрибок МТ-потенціалу, відповідній атомам типу Б1 (0). Результати ціх розрахунків для гетероструктур Г2, Г4 та Г6 відповідно, представлені на рис.2.

    рис.2

    Значення енергетичних рівнів, пов'язаних станів електронів для

    гетероструктури Г2 Склаві -0,18 еВ, для Г4 ------- 0,31 еВ и для Г6 ----- 0,38 еВ и

    -0,02 еВ.


    Завантажити оригінал статті:

    Завантажити