В роботі наведено опис розроблених в ЕНПО СПЕЛС лазерних імітаційних комплексів сімейства «ПИКО», заснованих на використанні сфокусованого лазерного випромінювання пикосекундной тривалості і призначених для проведення наукових досліджень і випробувань інтегральних схем на стійкість до впливу високоенергетичних окремих заряджених частинок. Обговорюються основні вимоги до лазерним імітаторам подібного класу, представлені короткий опис і технічні характеристики створених комплексів

Анотація наукової статті з нанотехнологій, автор наукової роботи - Єгоров Андрій Миколайович, Мавріцкій Олег Борисович, Чумаков Олександр Иннокентьевич, Никифоров Олександр Юрійович, Телець Віталій Арсенійович


This work describes the «PICO» laser simulation systems family, utilizing focused picosecond laser pulses for ICs single event effects investigations and tests. The main requirements for such systems are discussed; technical characteristics of designed facilities are presented.


Область наук:

  • нанотехнології

  • Рік видавництва: 2011


    Журнал: Спецтехніка і зв'язок


    Наукова стаття на тему 'Лазерні імітатори «Піко» для випробувань електронної компонентної бази на стійкість до впливу окремих ядерних частинок'

    Текст наукової роботи на тему «Лазерні імітатори« Піко »для випробувань електронної компонентної бази на стійкість до впливу окремих ядерних частинок»

    ?ЕГОРОВ1 Андрій Миколайович; МАВРІЦКІЙ2 Олег Борисович;

    ЧУМАКОВ3 Олександр Иннокентьевич, д.т.н .; НІКІФОРОВ4 Олександр Юрійович, д.т.н .; ТЕЛЕЦ5 Віталій Арсенійович, д.т.н .;

    ПЕЧЕНКІН6 Олександр Олександрович; ЯНЕНКО7 Андрій Вікторович, к.т.н .; КОЛЬЦОВ8 Дмитро Олегович;

    САВЧЕНКОВ9 Дмитро Володимирович

    ЛАЗЕРНІ імітатор «ПИКО» ДЛЯ ВИПРОБУВАНЬ електронної компонентної БАЗИ НА СТІЙКІСТЬ ДО ВПЛИВУ ОКРЕМИХ ЯДЕРНИХ ЧАСТИНОК

    В роботі наведено опис розроблених в ЕНПО «СПЕЛС» лазерних імітаційних комплексів сімейства «ПИКО», заснованих на використанні сфокусованого лазерного випромінювання, пикосекундной тривалості і призначених для проведення наукових досліджень і випробувань інтегральних схем на стійкість до впливу високоенергетичних окремих заряджених частинок. Обговорюються, основні вимоги, до лазерних імітаторів, подібного класу, представлені. короткий опис і технічні характеристики створених комплексів.

    Ключові слова: окрема ядерна частка; одиночний збій; радіаційна, стійкість; піко секундні лазерні імпульси; лазерні імітаційні випробування.

    This work describes the «PICO» laser simulation systems family, utilizing focused picosecond laser pulses for ICs single event effects investigations and tests. The main requirements for such systems are discussed; technical characteristics of designed facilities are presented.

    Keywords: single heavy ion; single event effect; radiation hardness; picosecond, laser pulses; laser simulation tests.

    Ш

    Іроки застосування великих (ВІС) і надвеликих (НВІС) інтегральних схем, а також силових і високовольтних транзисторів в якості електронної компонентної бази (ЕКБ) космічної апаратури і авіоніки вимагає проведення робіт з оцінки їх чутливості до локальних одиночним радіаційним ефектів впливу окремих ядерних частинок (ОЯЧ ) - іонів і протонів космічного простору (КП). До найбільш важливим локальним одиночним радіаційним ефектів належать поодинокі збої і тиристорні ефекти [1 - 3].

    Основний метод оцінки параметрів чутливості ЕКБ до впливу ОЯЧ грунтується на результатах випробувань на прискорювачах іонів і протонів, які є досить трудомісткими і дорогими. До того ж, в силу статистичного характеру взаємодії випромінювання з речовиною, дані методи є неефективними при порівнянні різних

    схемно-технологічних методів забезпечення радіаційної стійкості ЕКБ. Тому в даний час розвиваються альтернативні методи, засновані на використанні сфокусованого лазерного випромінювання пикосекундной тривалості [4 - 11]. Було показано, що ефекти, викликані в напівпровідникових приладах сфальцьованими ультракороткими лазерними імпульсами пикосекундной тривалості, в найбільшою мірою можна порівняти з ефектами від впливу ОЯЧ. При впливі ОЯЧ в кристалі генерується іонізаційний трек з щільною електрон-діркової плазми. Практично до аналогічного результату приводить і поглинання в обсязі напівпровідника сфокусованого пикосекундной лазерного імпульсу. Обидва ці взаємодії відбуваються за часи істотно коротші, ніж час електричного відгуку більшості мікроелектронних приладів. Хоча просторовий розподіл генерується при

    поглинанні сфокусованого пикосекундной лазерного імпульсу в обсязі напівпровідника заряду помітно відрізняється від форми треку космічної частинки, в обох випадках створюється локальний нерівноважний згусток заряду, здатний викликати появу еквівалентного ефекту в ЕКБ. Моделювання впливу ОЯЧ на ЕКБ за допомогою лазерного імпульсу має ряд незаперечних переваг перед традиційним впливом пучка частинок:

    | Лазерний промінь може бути сфокусований до мікронних (і навіть суб-мікронних для коротких довжин хвиль) розмірів; це дає можливість локалізації чутливих елементів з мікронною точністю;

    | Відтворюється лазерне опромінення з правильно підібраною енергією на відміну від збудження пучком часток не викликає залишкових руйнувань;

    | Лазерний імпульс може бути точно синхронізований з тактовою частотою

    1 - науковий співробітник ЕНПО «СПЕЛС»; 2 - науковий співробітник ЕНПО «СПЕЛС»; 3 - технічний директор, ЕНПО «СПЕЛС»;

    4 - генеральний директор, ЕНПО «СПЕЛС»; 5 - директор, ІЕПЕ НІЯУ «МІФІ»; 6 - науковий співробітник ІЕПЕ НІЯУ «МІФІ»;

    7 - провідний спеціаліст ІЕПЕ НІЯУ «МІФІ»; 8 - аспірант ІЕПЕ НІЯУ «МІФІ»; 9 - мл. науковий співробітник ІЕПЕ НІЯУ «МІФІ».

    роботи тестованого приладу, дозволяючи вивчати динамічну чутливість до одиночних збоїв в різних режимах його роботи;

    | Лазерне тестування не вимагає приміщення досліджуваного приладу в вакуумну камеру, а додаткові прилади функціонального контролю та управління можуть розташовуватися в безпосередній близькості від нього; ця обставина має особливе значення при проведенні тестування на поодинокі збої пристроїв з високою швидкодією;

    | Лазери мають меншу вартість, ніж джерела пучків частинок, більш радіаційно безпечні, екологічні, зручні у користуванні та управлінні, легко піддаються автоматизації.

    Описані особливості дозволяють стверджувати, що сфокусоване випромінювання пікосекундних лазерів може успішно застосовуватися для імітації ефектів, що виникають в напівпровідникових приладах під дією ОЯЧ КП. В даний час лазерне випромінювання застосовується для моделювання:

    | Одиночних збоїв, що представляють собою зміну логічного стану комірки пам'яті (або тригера), що виникає внаслідок переходу закритого транзистора в провідний стан при впливі на нього ОЯЧ;

    | Одиночних перехідних процесів, що проявляються як короткі сплески струму, здатні приводити до аномальної поведінки інших компонент, практично завжди присутніх в бортовій апаратурі, таких як логічні елементи, функціонально залежні від збуджується елемента;

    | Тиристорного ефекту і подальшого катастрофічного відмови, що виникає при активації паразитних структур мікросхем:

    | Пробою і подальшого катастрофічного відмови потужних і високовольтних транзисторів і ряду інших ефектів.

    Застосування методів тестування ЕКБ пикосекундной лазерними імпульсами дозволяє, скануючи поверхню кристала, прецизионно локалізувати чутливі до описаних

    ефектів області і знайти пороги виникнення ефектів.

    Розробка, практична реалізація і вдосконалення даних методів привели до створення лазерних імітаторів (ЧИ) серії «ПИКО», заснованих на використанні сфокусованого лазерного випромінювання пикосекундной тривалості. У даній роботі розглядаються характерні особливості створених ЧИ, а також їх основні технічні характеристики.

    Основні вимоги до лазерним імітаторам для дослідження ефектів від ОЯЧ. Лазерні імітатори ПИКО і ПИКО-2

    В ході робіт по вдосконаленню методів лазерних імітаційних випробувань на стійкість до дії ОЯЧ були сформульовані основні вимоги до лазерним імітаторам:

    | Тривалість лазерного імпульсу не більше 100 пс;

    | Робота на 2-х довжинах хвиль - 1,064 і

    0,532 мкм;

    | Можливість зміни енергії лазерного імпульсу на 4 - 5 порядків;

    | Контроль енергії кожного лазерного імпульсу, що впливає на ЕКБ;

    | Візуальне спостереження поверхні кристала випробовується прилади-

    ра і точки фокусування лазерного випромінювання;

    | Можливість прецизійного тривимірного переміщення зразка ЕКБ в ручному режимі і за заданою програмою (сканування).

    З урахуванням зазначених вимог за останні 15 років було розроблено декілька поколінь експериментальних комплексів для імітаційних випробувань ЕКБ на стійкість до впливу ОЯЧ КП, які використовують сфокусоване лазерне випромінювання пикосекундной тривалості. Всі вони в тій чи іншій мірі реалізують структурну схему, представлену на рис. 1. Випромінювання пикосекундной лазера, пройшовши через систему ослаблення випромінювання, фокусується за допомогою мікрооб'ектіва на досліджуваний кристал ЕКБ в пляма діаметром кілька мікрон в залежності від довжини хвилі і якості вихідного пучка. Енергія лазерного імпульсу контролюється за допомогою вимірника енергії, на який відводиться невелика частка основного лазерного пучка. Трикоординатна система позиціонування забезпечує прецизійне переміщення зразка ЕКБ в об'єктної площини і підстроювання фокусування пучка на поверхні кристала. Візуальне спостереження і фотографування топології здійснюється за допомогою ПЗС-камери, сигнал з якої пода-

    Мал. 1. Загальна структурна схема експериментального лазерного комплексу, що використовує сфокусоване лазерне випромінювання

    Мал. 2. Структурна схема і зовнішній вигляд лазерної установки ПИКО-2.

    1 - напівпровідниковий лазер; 2 - пикосекундной лазер РЬ-2143 / БІ; 3 - наносекундний лазер РАДОН 51ЕМ; 4 - фокусуються система; 5 - керуючий комп'ютер; 6 - мікроскоп БИОЛАМ-М;

    7 - трьохкоординатний предметний столик; 8 - досліджувана ЕКБ; 9 - вимірювач енергії; 10 - ПЗС-камера;

    11 - 14 - система управління і функціонального контролю

    ється на монітор або в керуючим комп'ютер. Завдання режимів роботи і функціональний контроль ЕКБ проводиться за допомогою системи функціонального контролю, також підключеної до комп'ютера. Лазерні установки за описаною схемою дозволяють моделювати вплив різних за типом і енергії частинок на будь-який обраний елемент ЕКБ шляхом регулювання геометрії ионизационного «треку» - глибини проникнення випромінювання (зміною довжини хвилі) і діаметра пучка (зміною ступеня фокусування). У 1995 р на основі пикосекундной лазера конструкції МІФІ на неодимовому склі з пасивної синхронізацією мод був створений лазерний імітатор ПИКО-1, що мав такі характеристики: довжина хвилі випромінювання 1055 і 527 нм, енергія в імпульсі до 100 мкДж, тривалість імпульсу

    7 .. .10 пс. Основними недоліками лазера, використаного в ЧИ ПИКО-1, були великі габарити і низька стабільність вихідної енергії, вкрай затруднявшая проведення вимірювань порогів виникнення локальних радіаційних ефектів. Подальшим розвитком лінійки лазерних імітаторів серії «ПИКО» з'явився ЧИ ПИКО-2, розроблений і створений в ЕНПО «СПЕЛС» в 2002 р До складу імітатора ПИКО-2 увійшов пикосекундной лазер з пасивною синхронізацією мод PL2143 / SH виробництва фірми EKSPLA, оснащений перетворювачем у другу

    гармоніку і вбудованим декадних ослабітель вихідний енергії лазерного випромінювання, що дозволяє варіювати її в широких межах. Максимальна енергія лазерного імпульсу в об'єктної площини становила до 1 мДж (при нестабільності не більше 5%), а тривалість імпульсу

    - близько 25 пс. Відмінною особливістю даної установки стало те, що крім пикосекундной лазера до складу комплексу також був включений розроблений ЕНПО «СПЕЛС» наносекундний лазерний джерело РАДОН- 51ЕМ. Крім лазерних джерел, ЧИ ПИКО-2 включав систему фокусування, позиціонування і візуального контролю об'єкта дослідження з ручним керуванням на основі вітчизняного мікроскопа БІ-ОЛАМ-М, а також систему діагностики збоїв і функціонального контролю досліджуваних ЕКБ.

    Найбільш істотними недоліками даного ЧИ стало відсутність комп'ютерного управління позиціонуванням зразка ЕКБ, а також те, що основним режимом роботи лазерів в складі комплексу був режим генерації одиночних імпульсів. Генерація послідовності імпульсів хоча і була можлива, але відбувалася на досить низькій частоті - не більше 10 Гц. Все це різко обмежувало застосування ЧИ ПИКО-2 для сканування великих за площею кристалів. Разом з тим останнім часом у зв'язку з підвищенням вимог до радіаційної стійко-

    сті апаратури авіакосмічного застосування виникла гостра необхідність проводити як дослідження, так і масові випробування нових типів ЕКБ з великою площею кристала. Це зажадало розробки нових поколінь ЧИ, що представляють більш широкі можливості по автоматизації процесів сканування і реєстрації ионизационной реакції, функціональних збоїв і відмов ЕКБ.

    Лазерні імітаційні комплекси ПИКО-3 і ПИКО-4

    Результатом недавніх зусиль фахівців ВАТ «ЕНПО« СПЕЛС »щодо вдосконалення характеристик пікосекундних лазерних імітаторів з'явився розроблений і введений в експлуатацію в 2007 р лазерний імітаційний комплекс ПИКО-3. Як лазерного джерела в даному ЧИ застосований сучасний малогабаритний високостабільний твердотільний пикосекундной лазер з діодним накачуванням РЬ-2201 ^ Н фірми Е ^ РЬА з вбудованим перетворювачем в другу гармоніку, що працює на частоті повторення імпульсів до 1000 Гц.

    Пикосекундной лазер генерує імпульси випромінювання тривалістю 70 пс на двох перемикаються довжинах хвиль з енергією (в області опромінення об'єкта) відповідно 15 мкДж (Л1 = 1064 нм) і 8 мкДж (Л2 = 532 нм). Застосована оптична схема (ви-

    Мал. 3. Блок-схема і зовнішній вигляд лазерного імітатора ПИКО-3.

    1 - пикосекундной лазер РЬ2201; 2 - плавний ослабитель; 3 - ПЗС відеокамера; 4 - система фокусування; 5 - трикоординатна система позиціонування об'єкта; 6 - оптична плита

    сокостабільний задає генератор + регенеративний підсилювач) і конструкція лазера забезпечують близький до гауссова поперечний профіль лазерного пучка (ТБМт М2 ~ 1,2) при нестабільності імпульсу по енергії не більше 2%. Лазер оснащений вбудованими системами виділення одиночного імпульсу з цуга пікосекундних імпульсів з контрастом не менше 1000: 1 і цифрового вимірювання енергії кожного імпульсу. Вихідна оптична система лазера формує і просторово поєднує коллімірованним пучки діаметром 6 мм на обох довжинах хвиль. Лазер не вимагає системи примусового водяного охолодження і має комп'ютерне управління режимами роботи. Система ослаблення, вбудована в вузол фокусування, призначена для плавного регулювання коефіцієнта ослаблення енергії випромінювання, що падає на досліджуваний об'єкт, в діапазоні

    1 ... 105. Вона складається з поляризаційних призм, одна з яких оснащена прецизійним кроковим приводом обертання. Конструкція дозволяє управляти ослабітель програмно і вручну.

    Система позиціонування об'єкта, призначена для сканування об'єкта лазерним променем з високою точністю, виконана у вигляді предметного столика з трьома прецизійними кроковими приводами з найменшим

    кроком переміщення 0,125 мкм в горизонтальній площині XY і 0,16 мкм в Z-напрямку. Діапазон переміщень становить 100 * 100 * 25 мм по X, Y і Z відповідно. Максимальна швидкість сканування складає 500 мкм / с.

    Контрольно-вимірювальний блок на базі персонального комп'ютера призначений для управління комплексом та функціонального контролю тестується ЕКБ. Реєстрація

    імпульсів ионизационной реакції і струмів засувки здійснюється за допомогою блоку сполучення і комутації, що підключається до комп'ютера через універсальний паралельний адаптер. Блок оснащений усіма необхідними програмними і апаратними засобами для реєстрації окремих збоїв і спостереження тиристорного ефекту в КМОП ЕКБ. При дослідженні тиристорного ефекту передбачена можливість запису

    Мал. 4. Лазерний імітаційний комплекс ПИКО-4

    ВЦ

    16.01.2012 13:26:44

    Мал. 5. Карта локалізації тиристорного ефекту в БІС ОЗУ1637РУ1

    осциллограмм тимчасового відгуку і автоматичний захист досліджуваного пристрою від перевантаження по струму.

    У 2011 р в ІЕПЕ НІЯУ «МІФІ» був запущений в експлуатацію лазерний імітаційний комплекс ПИКО-4 (рис. 4), що увібрав в себе всі кращі технологічні рішення в області лазерного моделювання впливу ОЯЧ на ЕКБ. Від попередніх моделей його відрізняє можливість зміни довжини хвилі лазерного імпульсу в широкому діапазоні, для чого до складу комплексу був включений блок перебудови довжини хвилі на основі оптичного пара-метри-чеського генератора PG503 (EKSPLA). Основними особливостями блоку перебудови є: робота в

    двох діапазонах довжин хвиль, простота управління, а також мала розбіжність і гарна якість лазерного пучка на виході, що дає можливість сфокусувати його в пляма малого діаметра (до 2 ... 3 мкм в залежності від довжини хвилі). Піко секундні лазерні імпульси з довжиною хвилі в діапазоні 700.1000 нм дозволяють моделювати ефекти впливу ОЯЧ з різними лінійними втратами енергії в ЕКБ не тільки на основі кремнію, а й інших напівпровідникових матеріалів (наприклад, арсеніду галію), в той час як більш довгохвильовий діапазон (1150.2200 нм ) застосовується при опроміненні кремнієвої ЕКБ з боку підкладки, при цьому віз-

    буждение нерівноважних носіїв відбувається за рахунок ефекту двухфотонного поглинання.

    У перспективі планується розширити діапазон тривалостей лазерних імпульсів в фемтосекундного область, відповідна модель лазерного імітаційного комплексу знаходиться в стані розробки.

    Як приклад використання лазерних імітаційних комплексів «ПИКО» для моделювання ефектів від ОЯЧ, на рис. 5 наведені результати сканування БІС ОЗУ 1637РУ1 сфокусованим лазерним променем. На фотографії кристала, отриманої методом панорамної зйомки, знаком білим відзначені точки виникнення тиристорного ефекту, які реєструвалися в автоматичному режимі з фіксацією координат. У даній БІС було виявлено, що тиристорні ефекти виникають по краях банків пам'яті. Важливо підкреслити, що при проведенні подібного сканування в режимі зворотного зв'язку підтримується одне і те ж відстань до поверхні кристала, що виключає необхідність прецизійної установки поверхні кристала нормально до падіння лазерного променя.

    Інший приклад ілюструє можливості комплексів «ПИКО» для дослідження локальних радіаційних ефектів в БІС в залежності від зміни температури, електричного або функціонального режимів і т.п. Зокрема, на рис. 6 представлені осцилограми розвитку тиристорного ефекту при різних напруги живлення БІС ОЗУ AS7C1026D-TI. з перед-

    а Б В

    Мал. 6. Осцилограми розвитку ТЕ в БІС ОЗУ АБ7С1026В-Т1 при різних напругах живлення:

    а) дослід = 5,5 В; б) допоміжні = 5,0 В; в) допоміжні = 4,6 В

    поставлених на рис. 6 осциллограмм можна визначити необхідні електричні параметри для реєстрації схемами парирування тиристорного ефекту. При цьому особливо слід підкреслити, що тільки подібний метод дозволяє зафіксувати нестаціонарний тиристорний ефект (рис. 6в).

    висновок

    Розвиток лазерних імітаційних установок, заснованих на сфокусується-

    ванном лазерному випромінюванні пикосекундной тривалості, дає можливість ефективно і з мінімальними витратами моделювати ефекти, що виникають в напівпровідникової ЕКБ під дією ОЯЧ КП. Розроблені лазерні експериментальні комплекси ПИКО-1 - ПИКО-4 призначені для проведення наукових досліджень і випробувань широкого класу перспективних виробів напівпровідникової мікро- та наноелектроніки на стійкість до впливу

    високоенергетичних окремих ядерних частинок і мають високі техніко-експлуатаційними характеристиками. Комплекси є оригінальною розробкою, яка не має аналогів в Росії.

    Робота виконана в ВАТ «ЕНПО« СПЕЛС »і в Інституті екстремальної прикладної електроніки (ІЕПЕ) НІЯУ« МІФІ », в тому числі, на підставі держконтрактів з Міністерства освіти та науки Росії від 22.10.2010 р No13.G36.31.007

    література

    1. Чумаков А.І. Дія космічної радіації на ІС. - М .: Радио и связь, 2004. - 320 с.

    2. Messenger G.C., Ash M.S. Single Event Phenomena. - N.Y.:Chapman & Hall, 1997. - 368 p.

    3. Чумаков А.І., Печонкін А.А., Єгоров О.М., Мавріцкій О.Б. та ін. Методика оцінки параметрів чутливості ІС до тиристорному ефекту при. впливі, окремих ядерних частинок. / Мікроелектроніка, 2008. - Т. 37. - № 1. - С. 45 - 51.

    4. Чумаков А.І. Взаємозв'язок еквівалентних значень лінійних втрат енергії важких заряджених частинок і енергії сфокусованого лазерного випромінювання. / Мікроелектроніка, 2011. - Т. 40. - № 3. - С. 163 - 169.

    5. Buchner S., et al. Laboratory Tests for Single-Event Effects. / IEEE Trans. on Nuclear Science, 1996. - V. NS-43. - № 2. - PP. 678 - 686.

    6. Jones et al. Comparison, between SRAM SEE cross-section, from, ion beam, testing with those obtained using a new picosecond, pulsed laser facility./ IEEE Trans. on Nuclear Scienceю, 2000. - V. NS-47. -№ 4. - PP. 539 - 544.

    7. Чумаков А.І., Єгоров О.М., Мавріцкій О.Б., Яненко А.В. Можливості використання локального лазерного випромінювання для моделювання ефектів від впливу окремих ядерних частинок в ІС. / Мікроелектроніка, 2004. - Т. 33. - № 2. - С. 128 - 133.

    8. Никифоров А.Ю., Чумаков А.І., Яненко А.В., Артамонов А.С., Калашников О.А., Скоробогатов П.К., Телець В.А., Брянда О.Е., Герасимов В.Ф., УЛІМО В.Н. Методи, випробувань на стійкість до дії радіаційних факторів космічного простору і імпульсну електричну міцність. / В сб .: Модель космосу: Науково-інформ .. вид .: У 2 т. / Под ред. М.І. Панасюка, Л.С. Новикова. - Т.2: Вплив космічного середовища, на матеріали та обладнання космічних апаратів. -М .: КДУ, 2007. - С. 815 - 833.

    9. Чумаков А.І., Печонкін А.А., Єгоров О.М., Мавріцкій О.Б., Баранов С.В., Васильєв А.Л., Яненко А.В. Методика оцінки параметрів чутливості ІС до тиристорному ефекту при впливі окремих ядерних частинок. / Мікроелектроніка, 2008. - Т. 37. - № 1. - С. 45 - 51.

    10. Чумаков А.І. Радіаційні ефекти, в ІС від. окремих ядерних частинок / В сб .: Модель космосу: Науково-інформ .. вид .: У 2 т. / Под ред. М.І. Панасюка, Л.С. Новикова. - Т.2: Вплив космічного середовища, на матеріали та обладнання космічних апаратів. - М .: КДУ, 2007. - С. 494 - 518.

    11. Чумаков А.І. Оцінка параметрів чутливості БІС за поодинокими, ефектів за допомогою лазерного випромінювання. / Зб. праць 4-й Всерос. наук.-техн. конф. «Проблеми, розробки перспективних мікро-і наноелектронних систем-2010».

    - М .: ІППМ РАН, 2010. - С. 265 - 268.

    ПН

    ) 1.2012 13:26:45


    Ключові слова: КЛЮЧОВІ СЛОВА: ОКРЕМА заряджених частинок /одиночний ЗБІЙ /РАДІАЦІЙНИЙ СТІЙКІСТЬ /Пикосекундной ЛАЗЕРНІ ІМПУЛЬСИ /ЛАЗЕРНІ імітаційного ВИПРОБУВАННЯ /SINGLE HEAVY ION /SINGLE EVENT EFFECT /RADIATION HARDNESS /PICOSECOND LASER PULSES /LASER SIMULATION TESTS

    Завантажити оригінал статті:

    Завантажити