Область наук:
  • Електротехніка, електронна техніка, інформаційні технології
  • Рік видавництва: 2006
    Журнал: Известия Південного федерального університету. Технічні науки

    Наукова стаття на тему 'Аналіз впливу шуму спонтанного випромінювання на параметри амплітудної модуляції інжекційних лазерів накачуванням'

    Текст наукової роботи на тему «Аналіз впливу шуму спонтанного випромінювання на параметри амплітудної модуляції інжекційних лазерів накачуванням»

    ?Секція мікрохвильових і квантових приладів і пристроїв

    8. Малишев В.А. Надвисокочастотна і термоядерна гіпотези про природу кульової блискавки / Праці Таганрозького радіотехнічного інституту. Вип.27. - Таганрог, 1974. - С. 237-243 *

    9. Арцимовіч Л.А. Керовані термоядерні реакції. - М .: Физматгиз, 1961.

    10. Малишев В.А. Феноменологічна теорія однокомпонентной термодифузії // Известия вузів. Фізика. 1965. № 2. - С. 70-72.

    11. Замітка «НЛО над Джакартою?» // Комсомольская правда / 1989. 28 січня.

    12. Павлов А. «НЛО допомогли створити американцям суперзброю» // Газета Комсомольська

    . 2002. 21 .

    621.382

    С.В. Караваєв, ЕЛ. Осадчий

    МЕТОД АНАЛІЗУ ПЕРЕТВОРЮВАЧІВ ЧАСТОТИ НА СКЛАДНИХ

    негатрон

    Вольт-амперна характеристика складних негатронів зазвичай має вигляд ко, -проксіміровать функцією 1 = Д (І) = АІ Ьі3 + сі5, де постійні а, b, с можуть бути визначені з системи трьох рівнянь 1) = Д (И0); ^ Ш = 0 при і = і0; 1 = 0 = Д (кІ0), де? Про і і0 - відповідає максимуму функції Д (І), а при і = кі0 крива перетинає вісь і. Певні таким чином параметри а, b, с дозволяють знайти функ-

    • / • рр • тг • у

    ції шми = 1 = ^ (І); 1 = f2 (І); = 1 = fз (І); 1 = 4 (І); 1 = 5 (І), які по анало-

    гии з методами, описаними в [1], дають можливість розрахувати ті залежать від амплітуд А1; А2; А3 змінних полів частот юь Ю2 і (ю ^ ш2) провідності Уь В2, В3, у відповідності зі способом, викладеному в [1], після прирівнювання їх провідність навантажень в еквівалентних схемах по цих частот У1 = У1; У2 = У 2; У3 = У 3 1 2

    сигналів амплітуди А3 напруги проміжної (або сумарної) частоти і, підбираючи елементи схем і робочу точку на характеристиці 1 = Д (І), дають можливість оптимізувати параметри негатрон перетворювача частоти.

    СПИСОК 1. Мал ишев В.А., Червяков Г.Г., Ганзій Д.Д. Нелінійні мікрохвильові напівпровідникові пристрої. - Таганрог: ТРТУ, 2001. - 354 с.

    УДК 621.373

    . . , . .

    АНАЛІЗ ВПЛИВУ ШУМУ СПОНТАННОЇ ВИПРОМІНЮВАННЯ НА ПАРАМЕТРИ амплітудної модуляції Інжекційні ЛАЗЕРОВ Накачування

    Швидкісні рівняння (рівняння Статца де Марса), отримані на основі уявлень, розвинутих в роботі [1], з урахуванням впливу частки (Ь) шуму, обмеженого спонтанного випромінювання, що потрапляє в робочу моду резонатора, мають вигляд

    d6 / dt = N - «- [(0 + K) / 2)] 2; yoФ / ет = F (в- 1) Ф + Комерсант [(в + K) / 2] 2, (1)

    де безрозмірні параметри N (параметр накачування), 0 (ступінь збудження лазера щодо стаціонарного автоколебательного режиму), Ф (параметр інтенсивності випромінювання), т (час), К (параметр заповнення рівнів структури), F (параметр втрат) визначаються співвідношеннями:

    Т = 2q21 (An0) t; q21 = ° р2 ^ 2; Ф = Io21 / hvq21 (An0); N = D1 q21 (An0);

    (2)

    в = An / An0; К = n0 / (An0); ж = Щ? / q21 (An0); n0 = n1 + n2,

    n20 - n10 = An0 = [2a1L + ln (1 / Г1Г2) / a21L = 2a1 /<r21, (3)

    де ap2 і V2 - поперечний переріз спонтанної рекомбінації електронів і дірок і їх взаємна середня швидкість; I - інтенсивність випромінювання; D - швидкість приходу

    (); 21 - -Вань взаємодії одного кванта з енергією hv й е ктрона; а1 - постійна загасання амплітуди поля випромінювання; L-Даїна резонатора; Г1 і Г2 - коефіцієнти відображення поля від дзеркал резонатора; a1 - усереднена з урахуванням проходження

    дзеркал постійна загасання поля; V - швидкість квантів; An = n2-n1 -інверсная різниця населенностей робочих рівнів. Спочатку, вважаючи b = 0, отримаємо 0 = 1 і з першого рівняння (1) знайдемо Ф = Ф01 = N- R2; R = (1 + K) / 2. Підставляючи це під

    друге рівняння (1) і вважаючи 0 = 00 = 1-0ь отримаємо вх ~ bR2 / N - R2; Ф = Ф 0 = = N-R2 [1 bR2 (1 + R / (N- R2))]. Вважаючи, що при модуляції параметри N, 0 і Ф змінюються відповідно до виразами:

    N = N0 + N1eJYT; 9 = 00+ 02 ^; Ф = Ф 0 + Ф1еКтт + ф), (4)

    І, підставляючи (5) в (1) з урахуванням значень 00 і Ф0, отримаємо співвідношення

    Ф1 / N1 = 1 -d / 4 (1 - х) 2 + px; D = 2bR3 / Ф 0 (N -R2); x = (г / ^) 2; (5) Y = ^ {N0 - R2 + bR [1 + r (1 + (2R / (N - R2)))}; <p = -arctg (JPX \ / (1 - x)); p = {N0 - r [r -1 - bR [1 + (R + ж - 0,5) I (N - R2)]]}, (6)

    b (1 / N1).

    СПИСОК 1. Малишев BA. Квазілінійну теорія інверсної населеності напівпровідникових лазерів // Изв. вузів. Радіоелектроніка. 1999. № 5. С. 3-10.


    Завантажити оригінал статті:

    Завантажити