Область наук:
  • нанотехнології
  • Рік видавництва: +1997
    Журнал: Известия Південного федерального університету. Технічні науки

    Наукова стаття на тему 'Аналіз поведінки концентрації точкових дефектів при загартуванню імпульсної термообробкою кремнію'

    Текст наукової роботи на тему «Аналіз поведінки концентрації точкових дефектів при загартуванню імпульсної термообробкою кремнію»

    ?Секція мікроелектроніки і технології великих інтегральних схем

    УДК 621.785: 584.3

    С.І. Соловйов, А.М. Світличний

    АНАЛІЗ ПОВЕДІНКИ КОНЦЕНТРАЦІЇ ТОЧКОВИХ ДЕФЕКТІВ при загартуванню імпульсних термообробки КРЕМНІЮ

    Використання імпульсних методів термічної обробки в технології виробництва інтегральних схем дозволяє створювати прилади з характерними розмірами, що лежать в нанометровому діапазоні. Це стало можливим завдяки відсутності значного перерозподілу імплантованою домішки за короткий період впливу, високою активації легуючої домішки і т.д. Разом з тим високі швидкості нагріву і охолодження викликають нерівноважний стан дефектної системи, одним з результатів якого є гарт точкових дефектів. Очевидно, що концентрація гартівних дефектів буде залежати від багатьох факторів, включаючи швидкості нагріву і охолодження, максимальну температуру, щільність стоків і джерел точкових дефектів в кристалі. Тому отримання залежності концентрації гартівних дефектів від названих параметрів становить значний інтерес.

    У даній роботі для можливості аналітичного аналізу кінетики поведінки точкових дефектів зроблені такі припущення. Нагріваються зразки вважалися напівнескінченної, інтегральна довжина теплової дифузії значно більше дифузійної довжини точкових дефектів. Ці припущення дозволили перейти до кінетичного рівняння з так званим сінетіческіх параметром часу.

    В результаті аналітичних розрахунків було показано, що максимальна концентрація гартівних дефектів має місце в тому випадку, коли інтегральна дифузійна довжина вакансій становить половину середньої відстані між стоками і джерелами дефектів.


    Завантажити оригінал статті:

    Завантажити