Область наук:

  • Електротехніка, електронна техніка, інформаційні технології

  • Рік видавництва: 1995


    Журнал: Известия Південного федерального університету. Технічні науки


    Наукова стаття на тему 'Адаптовані до САПР елементи тривимірних кмоп-НВІС'

    Текст наукової роботи на тему «Адаптовані до САПР елементи тривимірних кмоп-НВІС»

    ?Известия ТРТУ

    Спеціальний випуск

    Секція конструювання електронних засобів

    УДК 621.3.049.77.001.66

    Б. Г. Конопльов, Е. А. Риндін

    Адаптуватися до САПР ЕЛЕМЕНТИ ТРИВИМІРНИХ КМОП-НВІС

    В даний час одним з перспективних напрямків розвитку інтегральної електроніки є створення тривимірних НВІС. Найглибше досліджені КМОП-НВІС на основі структур, в яких п-канальні транзистори розміщені в підкладці р-типу, а р-канальні-в областях рекрісталлізованного кремнію, ізольованих від підкладки розділовим діелектриком. При цьому істотно підвищується складність автоматизації процесів синтезу структури і топології НВІС, зростають витрати на проектування.

    Одним із шляхів вирішення даних проблем є методологія проектування НВІС на основі адаптованої до САПР елементної бази. Елементи синтезуються з набору структурно-топологічних примітивів (СТП), інформація про яких зберігається в базі даних САПР.

    На основі даного підходу розроблені тривимірні КМОП-елементи першого рівня. Виконано розрахунок їх параметрів і характеристик з використанням аналітичних моделей, що дають похибку 15-20%.

    У порівнянні з функціонально і конструктивно аналогічними планарнимі елементами нові елементи мають в середньому на 40-60% меншу займану площу і на 10-15% меншу затримку перемикання за рахунок зниження паразитних ємностей і опорів.

    У порівнянні з тривимірними елементами, розробленими на основі традиційного підходу, нові елементи мають на 40-70%) велику займану площу і на 15-20%) велику затримку перемикання, що є наслідком надмірності площі і паразитних параметрів в зв'язку з вимогами сумісності і взаємозамінності СТП в складі елемента. Однак на рівні фрагментів (з числом елементів не менше 20) завдяки застосуванню згаданої вище методології проектування займає площу скорочується на 30-40%, а швидкодія збільшується на 15-20% за рахунок практично беззазорний розміщення елементів на кристалі і скорочення затримки сигналів в межсоединения. При цьому синтез структури і топології елементів, фрагментів і НВІС в цілому зводиться до легко формалізується процедурі. Скорочуються час і витрати на проектування за рахунок використання САПР в автоматичному режимі.


    Завантажити оригінал статті:

    Завантажити